Från Rilpedia

Denna artikel har anmälts till snabbraderingmed motiveringen: Irrelevant se diskussion Sidan kommer så snart som möjligt att granskas av en administratör. Ta inte bort mallen! Om du inte håller med om att en radering är befogad, skriv {{låtvara}} på artikelsidan och motivera enligt relevanskriterierna på diskussionssidan. Se även raderingsloggen eller information om snabbraderingar.

Artikelns relevans framgår inte. Hjälp till att påvisa artikelns relevans genom att lägga till fakta och pålitliga källor. Om relevansen inte kan påvisas riskerar artikeln att raderas. Se diskussionssidan. Motivering: detta finns nog bara som patent och i forskningsstadiet

Den här artikeln saknar källhänvisningar. Förbättra gärna artikeln genom att lägga till pålitliga källor (helst fotnoter). Material som inte kan verifieras kan ifrågasättas eller tas bort. (april 2009)

Artikeln eller avsnittet innehåller ifrågasatta faktauppgifter. Se diskussionssidan, eller historiken, för mer information. Rätta gärna felaktigheter.

Ferroelektriskt polymerminne är ett minne som tillverkas av tunnfilmspolymerer. Genom att lägga lager på lager kan man åstadkomma 3D-minnen vilket effektiviserar minneshanteringen i datorerna. Minnet konsumerar mindre mängd energi och blir tack vare sin uppbyggnad snabbare. Tillverkningskostnaderna blir låga varför plastminnen kommer att bli relativt billiga i förhållande till dagens kiselbaserade minnen.

Ferroelektriska polymerminnen.

Ferroelektriska polymerminnen bygger som namnet antyder på ferroelektricitet, d.v.s. minnesmaterialet har två stabila polarisationstillstånd. Sveper man spänningen över en ferroelektrisk minnescell och mäter det laddning/ström som kommer ut får man en så kallad hystereskurva. Där finns två tillstånd som är är stabila vid 0V vilket gör att det är ett icke flyktigt omskrivbart minne (non-volatile RAM, NV-RAM), d.v.s. minnesinnehållet består efter det att spänningen slagits av.

Ferroelektriska polymerminnen kan idag användas för minnesstorlekar från många gigabyte, som tillverkas med hjälp av traditionella halvledarprocesser i renrumsmiljö, ned till tryckta minnesbanker på ett fåtal till 100-tals bitar som används tillsammans med tryckt elektronik (printed electronics, paper electronics).

Tack vare möjligheten att bygga många minneslager på höjden med TFE-minnet får man plats med fler bitar per area än någon annan minnesteknologi, till exempel FLASH. Detta gör att dessa minnen är billigare än FLASH per bit.