Från Rilpedia

Du har inte behörighet att redigera denna sida, av följande anledning:

Du kan se och kopiera denna sidas källtext:

<noinclude>{{rpsv.from.wpsv}}</noinclude> {{radera|Irrelevant se diskussion}} {{Relevanskontroll|detta finns nog bara som patent och i forskningsstadiet|month=05|year=2009}} {{Källor|datum=april 2009}} {{faktakoll}} '''Ferroelektriskt polymerminne''' är ett minne som tillverkas av [[tunnfilm]]s[[polymer]]er. Genom att lägga lager på lager kan man åstadkomma 3D-minnen vilket effektiviserar minneshanteringen i datorerna. Minnet konsumerar mindre mängd energi och blir tack vare sin uppbyggnad snabbare. Tillverkningskostnaderna blir låga varför plastminnen kommer att bli relativt billiga i förhållande till dagens [[kisel]]baserade minnen. == Ferroelektriska polymerminnen. == Ferroelektriska polymerminnen bygger som namnet antyder på [[ferroelektricitet]], d.v.s. minnesmaterialet har två stabila polarisationstillstånd. Sveper man spänningen över en ferroelektrisk minnescell och mäter det laddning/ström som kommer ut får man en så kallad hystereskurva. Där finns två tillstånd som är är stabila vid 0V vilket gör att det är ett icke flyktigt omskrivbart minne (non-volatile RAM, NV-RAM), d.v.s. minnesinnehållet består efter det att spänningen slagits av. Ferroelektriska polymerminnen kan idag användas för minnesstorlekar från många [[gigabyte]], som tillverkas med hjälp av traditionella halvledarprocesser i [[renrumsmiljö]], ned till tryckta minnesbanker på ett fåtal till 100-tals [[bit]]ar som används tillsammans med tryckt elektronik (''printed electronics'', ''paper electronics''). Tack vare möjligheten att bygga många minneslager på höjden med [[TFE-minne]]t får man plats med fler bitar per area än någon annan minnesteknologi, till exempel [[FLASH]]. Detta gör att dessa minnen är billigare än FLASH per bit. [[Kategori:Datorminnen]]

Tillbaka till Ferroelektriskt polymerminne.